logo
Bericht versturen
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

Ik ben online Chatten Nu

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit
S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

Grote Afbeelding :  S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Merknaam: Hamamatsu
Modelnummer: S1337-1010BQ
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Standaardverpakking
Levertijd: 3-5work dagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1000 stuks per maand

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

beschrijving
Het fotogebied is:: 10 × 10 mm Aantal pixels: 1
Koeling en: niet-gekoeld Ingekapseld: van keramiek
Omgekeerde spanning (max.): 5 V Het spectraal bereik is 190 tot 1100: 190 tot 1100 Nm
Markeren:

S1337-1010BQ

,

De Fotodiode van de groot Gebiedslawine

Productbeschrijving:

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit

Kenmerken:

Geschikt voor nauwkeurige fotometrische bepaling van ultraviolette tot rode banden

Productkenmerken

Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75% (λ=200 nm)

Lage capaciteit

Meetvoorwaarde Ta=25°C, typisch, tenzij anders vermeld, lichtgevoeligheid: λ=960 nm, donkere stroom: VR=10 mV, stijgingstijd:VR=0 V, terminalcapaciteit: VR=0 V, f=10 kHz

Specificaties:

Piekgevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 960 nm
Gevoeligheid (typische waarde) 0.5 A/W
Donkere stroom (maximaal) 200 pA
Stijgingstijd (typische waarde) 3 mu s
Koppelingscapaciteit (typische waarde)

1100 pF

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit 0

S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit 1S1337-1010BQ Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie van UV naar IR lage capaciteit 2

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)