logo
Bericht versturen
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

Ik ben online Chatten Nu

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom
S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

Grote Afbeelding :  S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Merknaam: Hamamatsu
Modelnummer: S2386-8K
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Buis
Levertijd: 3-5work dagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 3000 stuks per maand

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

beschrijving
Het fotogebied is:: 5.8 × 5,8 mm Aantal pixels: 1
Koeling en: niet-gekoeld het type inkapseling is:: TO-8
Omgekeerde spanning (max.): 30 V Spectrumresponsbereik: 320 tot 1100 Nm
Markeren:

S2386-8K infrarode Foto-elektrische Sensor

,

Infrarode Foto-elektrische Sensor 10 mV

,

De Fotodiode van het siliciumcarbide

Productbeschrijving:

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom

Kenmerken:

Geschikt voor zichtbaar licht tot nabij-infraroodband, universele fotometrische bepaling

Productkenmerken

● Hoge gevoeligheid in de zichtbare tot nabij-infraroodband

● Lage donkere stroom

● Hoge betrouwbaarheid

● Een hoge lineariteit

Stijgingstijd (typische waarde).10 mu s

Koppelingscapaciteit (typische waarde) 4300 pF

Meetvoorwaarde TYP.TA =25°C, tenzij anders aangegeven,Fotosensitiviteit: λ=960 nm, donkere stroom: VR=10 mV, terminalcapaciteit:VR=0 V, f=10 kHz

Specificaties:

spectraal responsbereik is 320 tot 1100 nm
Piekgevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 960 nm
Gevoeligheid (typische waarde) 0.6 A/W
Donkere stroom (max.) 50 pA

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom 0

S2386-8K Infrarood foto-elektrische sensor 10 mV Siliciumcarbide fotodiode lage donkere stroom 1

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)