logo
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

Ik ben online Chatten Nu

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom
S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

Grote Afbeelding :  S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Merknaam: Hamamatsu
Modelnummer: S16765-01MS
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Buizen van
Delivery Time: 3-5work days
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 3000 stuks per maand

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

beschrijving
Fotogevoelig gebied: 2.8 × 2,4 mm Verpakking: Plastic
koeling: Ongekoeld Spectrumresponsbereik: 320 tot 1000 nm
Piekgevoeligheidsgolflengte (typisch): 720 Nm Gevoeligheid (typisch): 0.4 A/W
Markeren:

S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor

,

2.8mm Infrarode Foto-elektrische Sensor

,

S16765 01MS Photodiode PIN Silicon Photocell

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom

 

Kenmerken:

Hamamatsu lichtgevoelige fotodiode siliciumfotocel

Hoge prestaties, hoge betrouwbaarheid Si PIN fotodioden

Hoogwaardige, betrouwbare silicium-PIN-fotodiode

Parameternaamwaarde

met een gewicht van niet meer dan 50 kg

De diameter/lengte van de gevoelige zone mm 2.8

De minimale golflengte is 320 nm.

De maximale golflengte is 730 nm.

De piekgolflengte is 560 nm.

Piekgevoeligheid A/W 0.3

Maximale donkere stroom (nA) 0.01

Rsh Ω (G) 100

TR (us) 2.5

CT (pF) 700

Een deel van de fotodetector omvat gewone fotodioden, lawindiodes en fotomultiplierbuizen die zich vormen van röntgenstralen tot ultraviolet, zichtbaar licht

, in de buurt van het infrarood, tot 3000 nm in de middelste infraroodband;verpakkingsvorm van chipniveau tot componentenniveau, module

Niveaus van verschillende halfgeleiderlaserdioden

Professionele verkoop van Japan hamamatsu opto-elektronische apparaten, optische ontvanger, siliciumfotodiode, foto-elektrische detectieapparaten optische detectiecomponenten

 

Specificaties:

Temperatuur van het lassen 260°C
Vermogen van de lichtbron 0.1u~100mW/cm2
Spectrumdetectiebereik 25°C, 10% van R
Omgekeerde spanning 3V

 

S16765-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom 0

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)