logo
Bericht versturen
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

Ik ben online Chatten Nu

YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden
YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

Grote Afbeelding :  YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

Productdetails:
Place of Origin: Japan
Merknaam: HAMAMATSU
Model Number: S1337-66BR
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Minimum Order Quantity: 1
Packaging Details: boxed
Delivery Time: 3 days
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability: 2200

YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

beschrijving
Receiving surface: 5.8 × 5.8 mm Reverse voltage (Max.): 5V
Photosensitivity (typical value): 0.62 A/W Dark current (Max.): 100 pA
Markeren:

Precieze fotometrie Siliciumfotodiode

Productbeschrijving:

S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor precisiefotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

Kenmerken:

Geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolette tot infraroodbanden

Ontvangvlak 5,8 × 5,8 mm

van de soort gebruikt voor de vervaardiging van elektrische apparaten

Pakketcategorie --

Koeling niet-gekoeld type

Omgekeerde spanning (max.) 5 V

Spectrumresponsbereik 340 tot 1100 nm

Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 960 nm

Lichtgevoeligheid (typische waarde) 0,62 A/W

Donkere stroom (max.) 100 pA

Stijgingstijd (typische waarde) 1 μs

Koppelingscapaciteit (typisch) 380 pF

Ruis-equivalent vermogen (typische waarde) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2

Typische waarden van de meetomstandigheden Ta=25°C, lichtgevoeligheid: λ = 960 nm, donkere stroom: VR = 10 mV, verbindingscapaciteit: VR = 0 V, f = 10 kHz, tenzij anders vermeld

Specificaties:

Spectrumresponsbereik 340 tot 1100 nm
Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 960 nm
Lichtgevoeligheid (typische waarde) 0.5A /W
Donkere stroom (max.) 100 pA

YJJ S1337-66BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden 0

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)