|
Productdetails:
|
| Receiving surface: | 10 × 10 mm | Package: | Ceramic |
|---|---|---|---|
| Refrigeration: | Uncooled type | Reverse voltage (Max.): | 5V |
| Markeren: | Precisiefotometrische siliciumfotodiode,Infraroodgevoeligheid Siliciumfotodiode |
||
Productbeschrijving:
S1227-1010BQ Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrische onderdrukking van infraroodgevoeligheid in de ultraviolette tot zichtbare band
Kenmerken:
Gedetailleerde parameter
Ontvangoppervlak 10 × 10 mm
van de soort gebruikt voor de vervaardiging van elektrische apparaten
Pakketcategorie --
Koeling niet-gekoeld type
Omgekeerde spanning (max.) 5 V
Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm
Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 720 nm
Lichtgevoeligheid (typische waarde) 0,36 A/W
Donkere stroom (max.) 50 pA
Stijgingstijd (typische waarde) 7 μs
Koppelingscapaciteit (typische waarde) 3000 pF
Ruis-equivalent vermogen (typische waarde) 8,0×10-15 W/Hz1/2
Typische waarden van de meetomstandigheden Ta=25°C, lichtgevoeligheid: λ = 720 nm, donkere stroom: VR = 10 mV, verbindingscapaciteit: VR = 0 V, f = 10 kHz, tenzij anders vermeld
Specificaties:
| Spectrumresponsbereik | 190 tot 1100 nm |
| Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde) | 960 nm |
| Lichtgevoeligheid (typische waarde) | 0.5A /W |
| Donkere stroom (max.) | 20 pA |
Contactpersoon: Miss. Xu
Tel.: 86+13352990255
