logo
Bericht versturen
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

Ik ben online Chatten Nu

YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht
YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

Grote Afbeelding :  YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

Productdetails:
Place of Origin: Japan
Merknaam: HAMAMATSU
Model Number: S1226-8BQ
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Minimum Order Quantity: 1
Packaging Details: piping
Delivery Time: 3 days
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability: 2200

YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

beschrijving
Receiving surface: 5.8 × 5.8 mm Package category: TO-8
Reverse voltage (Max.): 5V Dark current (Max.): 20 pA
Markeren:

Siliconfotodiode met lage donkere stroom

Productbeschrijving:

S1226-8BQHoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

Kenmerken:

Geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolette tot zichtbare golflengten; onderdrukt gevoeligheid bij het infrarood

eigenaardigheid

- Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75% (λ = 200 nm)

- Onderdrukken van nabij-infraroodgevoeligheid

- Lage donkere stroom.

- Hoge betrouwbaarheid

Ontvangvlak 5,8 × 5,8 mm
metalen voor inkapseling
Pakketcategorie TO-8
Koeling niet-gekoeld type
Omgekeerde spanning (max.) 5 V
Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm
Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 720 nm
Lichtgevoeligheid (typische waarde) 0,36 A/W
Donkere stroom (max.) 20 pA
Stijgingstijd (typische waarde) 2 μs
Koppelingscapaciteit (typisch) 1200 pF

Specificaties:

Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm
Maximale gevoeligheidsgolflengte 720 nm
Lichtgevoeligheid (typische waarde) 0.36A /W
Donkere stroom (max.) 20 pA

YJJ S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid Lage donkere stroom siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht 0

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)