|
Productdetails:
|
| Lichtontvangende zijde: | 1.1 × 1,1 mm | Inkapseling: | Metalen |
|---|---|---|---|
| Pakketcategorie: | Aan-18 | Koeling: | niet-gekoeld |
| Omgekeerde spanning (max): | 5 V | Spectrumresponsbereik: | 320 tot 1000 nm |
| Markeren: | S1226-18BQ Siliciumfotodioden,NIR-gevoeligheid Siliciumfotodioden,S1226-18BK Siliciumfotodioden |
||
Silicon Pin fotodioden S1226-18BK
Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot zichtbare golflengteband; onderdrukt gevoeligheid in het nabije infrarood
Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Onderdrukking van NIR-gevoeligheid
- Lage donkere stroom.
- Hoge betrouwbaarheid
| Maximale gevoeligheidsgolflengte (typisch) | 720 nm |
| Lichtgevoeligheid (typisch) | 0.36 A/W |
| Donkere stroom (maximaal) | 2pA |
| Tijdstip van stijging (typisch) | 0.15 μs |
| Koppelingscapaciteit (typisch) | 35 pF |
| Ruis-equivalent vermogen (typisch) | 1.6 × 10-15W/Hz1/2 |
Silicon Pin fotodioden S1226-18BQ
Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot zichtbare golflengteband; onderdrukt gevoeligheid in het nabije infrarood
Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Onderdrukking van NIR-gevoeligheid
- Lage donkere stroom.
- Hoge betrouwbaarheid
| Lichtontvangende zijde | 1.1 × 1,1 mm |
| inkapseling | metalen |
| Pakketcategorie | TO-18 |
| Omgekeerde spanning (max) | 5 V |
| Spectrumresponsbereik | 190 tot 1000 nm |
| Lichtgevoeligheid (typisch) | 0.36 A/W |
Contactpersoon: Miss. Xu
Tel.: 86+13352990255
