logo
  • Dutch
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Ik ben online Chatten Nu

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid
Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Grote Afbeelding :  Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Modelnummer: S1226-5BK S1226-5BQ
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Verpakking Details: Papieren doos
Levertijd: 3-5 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 5000 stuks

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

beschrijving
Lichtontvangende zijde: 2.4 × 2,4 mm Inkapseling: Metalen
Pakketcategorie: Aan-5 Koeling: niet-gekoeld
Omgekeerde spanning (max): 5 V Spectrumresponsbereik: 320 tot 1000 nm
Markeren:

S1226-5BQ Silicon Pin Photodiodes

,

S1226-5BK Silicon Pin Photodiodes

,

NIR-gevoeligheid Silicon Pin Photodiodes

Siliciumfotodioden S1226-5BK

Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot zichtbare golflengteband; onderdrukt gevoeligheid in het nabije infrarood

Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Onderdrukking van NIR-gevoeligheid
- Lage donkere stroom.
- Hoge betrouwbaarheid

Maximale gevoeligheidsgolflengte (typisch) 720 nm
Lichtgevoeligheid (typisch) 0.36 A/W
Donkere stroom (maximaal) 5 pA
Tijdstip van stijging (typisch) 0.5 μs
Koppelingscapaciteit (typisch) 160 pF
Ruis-equivalent vermogen (typisch) 2.5 × 10-15W/Hz1/2

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid 0

Siliciumfotodioden S1226-5BQ

Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot zichtbare golflengteband; onderdrukt gevoeligheid in het nabije infrarood

Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Onderdrukking van NIR-gevoeligheid
- Lage donkere stroom.
- Hoge betrouwbaarheid

Lichtontvangende zijde 2.4 × 2,4 mm
inkapseling metalen
Lichtgevoeligheid (typisch) 0.36 A/W
Koppelingscapaciteit (typisch) 160 pF
Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm
Maximale gevoeligheidsgolflengte (typisch) 720 nm

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid 1

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)