|
Productdetails:
|
| Lichtontvangende zijde: | 5.8 × 5,8 mm | Inkapseling: | Keramiek |
|---|---|---|---|
| Koeling: | niet-gekoeld | Omgekeerde spanning (max): | 5 V |
| Spectrumresponsbereik: | 190 tot 1100 Nm | Lichtgevoeligheid (typisch): | 0.5 A/W |
| Markeren: | Met een vermogen van niet meer dan 50 W,S1337-66BQ Siliciumfotodioden,S1337-33BQ Siliciumfotodioden |
||
Siliciumfotodioden S1337-66BQ
Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot infraroodband
Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE 75% (λ=200 nm)
- Lage capaciteit
| Maximale gevoeligheidsgolflengte (typisch) | 960 nm |
| Donkere stroom (maximaal) | 100 pA |
| Tijdstip van stijging (typisch) | 1 μs |
| Koppelingscapaciteit (typisch) | 380 pF |
| Ruis-equivalent vermogen (typisch) | 1.3×10-14 W/Hz1/2 |
Siliciumfotodioden S1337-33BQ
Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot infraroodband
Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid: QE 75% (λ=200 nm)
- Lage capaciteit
| Lichtontvangende zijde | 2.4 × 2,4 mm |
| inkapseling | keramiek |
| koeling | niet-gekoeld |
| Omgekeerde spanning (max) | 5 V |
| Spectrumresponsbereik | 190 tot 1100 nm |
| Lichtgevoeligheid (typisch) | 0.5 A/W |
Contactpersoon: Miss. Xu
Tel.: 86+13352990255
