|
Productdetails:
|
| Lichtontvangende zijde: | 5.8 × 5,8 mm | Inkapseling: | Keramiek |
|---|---|---|---|
| Koeling: | niet-gekoeld | Omgekeerde spanning (max): | 5 V |
| Spectrumresponsbereik: | 190 tot 1000 Nm | Lichtgevoeligheid (typisch): | 0.36 A/W |
| Markeren: | S1227-66BQ Siliciumfotodioden,Siliciumfotodioden met onderdrukte IR-gevoeligheid,S1227-66BR Siliciumfotodioden |
||
Siliciumfotodioden S1227-66BQ
Kenmerken
- Hoge UV-gevoeligheid (kwartsvenster): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Onderdrukte IR-gevoeligheid
- Lage donkere stroom.
| Ruis-equivalent vermogen (typisch) | 5.0 × 10-15W/Hz1/2 |
| Koppelingscapaciteit (typisch) | 950 pF |
| Tijdstip van stijging (typisch) | 2 μs |
| Donkere stroom (maximaal) | 20 pA |
| Lichtgevoeligheid (typisch) | 0.36 A/W |
Siliciumfotodioden S1227-66BR
Het is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in de ultraviolette tot zichtbare golflengteband; onderdrukt infraroodgevoeligheid
Kenmerken
- Harspotten
type - Onderdrukking van infraroodgevoeligheid
- Lage donkere stroom.
| Lichtontvangende zijde | 5.8 × 5,8 mm |
| inkapseling | keramiek |
| koeling | niet-gekoeld |
| Omgekeerde spanning (max) | 5 V |
| Spectrumresponsbereik | 340 tot 1000 nm |
| Maximale gevoeligheidsgolflengte (typisch) | 720 nm |
Contactpersoon: Miss. Xu
Tel.: 86+13352990255
