|
Productdetails:
|
Omgekeerde spanning: | 10V | Power Dissipation: | 300 mW |
---|---|---|---|
VERBINDINGStemperatuur: | 125°C | Bedrijfstemperatuurbereik: | - 40 tot + 125 ℃ |
Opslagtemperatuurbereik: | - 40 tot + 125 ℃ | Soldering temperature: | 260℃ |
Markeren: | Planar silicium PN fotodiode met lage donkere stroom,TO-5 pakket fotodiode infraroodsensor,BPW21R fotodiode met garantie |
BPW21R Planar Silicium PN Fotodiode Lage Donkerstroom TO-5 Behuizing
EIGENSCHAPPEN
• Behuizingstype: bedraad
• Behuizingsvorm: TO-5
• Afmetingen (in mm): Ø 8.13
• Stralingsgevoelig oppervlak (in mm2): 7.5
• Hoge fotogevoeligheid
• Aangepast aan de responsiviteit van het menselijk oog
• Hoek van halve gevoeligheid: ϕ = ± 50°
• Hermetisch afgesloten behuizing
• Kathode verbonden met de behuizing
• Platte glazen venster
• Lage donkerstroom
• Hoge shuntweerstand
• Hoge lineariteit
• Voldoet aan RoHS-richtlijn 2002/95/EG en in
overeenstemming met WEEE 2002/96/EG
TOEPASSINGEN
• Sensor voor belichtings- en kleurmetingen
Specificatie:
Voorwaartse spanning | 1.0-1.3V |
Doorslagspanning | 10V |
Reverse donkerstroom | 2-30nA |
Diode capaciteit | 1.2nF |
Donker weerstand | 38GΩ |
Contactpersoon: Xu
Tel.: 86+13352990255