|
Productdetails:
|
| Pakkettype: | Tot - 18 | Fotogevoelig gebied: | φ0,3 mm |
|---|---|---|---|
| Spectrale responsbereik: | 00,9 tot 1,7 μm | Piekgevoeligheidsgolflengte (typ.): | 10,55 μm |
| Lichtgevoeligheid (typisch): | 1.1 A/W | Snijd - Uit frequentie (typ.): | 600 MHz |
| Markeren: | Infrarood foto-elektrische sensor voor lasermonitoring,InGaAs PIN fotodiode sensor,Foto-elektrische sensor voor lasermonitoringsysteem |
||
G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Laserbewakingssystemen
1. Toepassingsgebieden:
2. Belangrijkste Kenmerken:
| Sensortype | InGaAs PIN Fotodiode | - |
| Pakkettype | TO-18 | - |
| Bedrijfsmodus | Fotoconductief | - |
| Diameter Lichtgevoelig Gebied | φ0,3 mm | - |
| Aantal Elementen | 1 | - |
| Koelmethode | Niet-gekoeld | - |
| Spectraalbereik | 0,9 – 1,7 μm | - |
| Piekgevoeligheid Golflengte | ~1,55 μm | - |
| Fotosgevoeligheid | Typ. 1,1 A/W | λ = 1,55 μm, Vₐ = 5V |
| Donkerstroom | Max. 0,5 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Geen licht |
| Afsnijfrequentie (-3dB) | Typ. 600 MHz | Vᵣ = 5V, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μm |
| Junction Capaciteit | Typ. 5 pF | Vᵣ = 5V, f = 1 MHz |
| Gevoeligheid voor Ruis (NEP) | Typ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Detectiviteit (D*) | Typ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Shunt Weerstand | 200 – 1000 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Geen licht |
| Maximale Omgekeerde Spanning (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
| Venstermateriaal | Borosilicaatglas | - |
| Bedrijfstemperatuurbereik | -40℃ – 100℃ | - |
| Opslagtemperatuurbereik | -55℃ – 125℃ | - |
| Temperatuurcoëfficiënt van Gevoeligheid | 1,09 maal/℃ |
![]()
Contactpersoon: Miss. Xu
Tel.: 86+13352990255