logo
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

Certificaat
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen
G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

Grote Afbeelding :  G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Modelnummer: G12180-003A
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stks
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Standaardverpakking
Levertijd: 5-8 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Levering vermogen: 5000 pccs

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

beschrijving
Pakkettype: Tot - 18 Fotogevoelig gebied: φ0,3 mm
Spectrale responsbereik: 00,9 tot 1,7 μm Piekgevoeligheidsgolflengte (typ.): 10,55 μm
Lichtgevoeligheid (typisch): 1.1 A/W Snijd - Uit frequentie (typ.): 600 MHz
Markeren:

Infrarood foto-elektrische sensor voor lasermonitoring

,

InGaAs PIN fotodiode sensor

,

Foto-elektrische sensor voor lasermonitoringsysteem

 

 

                   G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Laserbewakingssystemen

 

1. Toepassingsgebieden:

  • Laserbewakingssystemen: Maakt real-time detectie en monitoring van laseruitvoerintensiteit mogelijk in industriële laserverwerking, medische laserapparatuur en laseropstellingen van onderzoeksrang, wat zorgt voor stabiele laserprestaties.
  • Optische Vermogensmeters: Dient als een kernsensorcomponent in optische vermogensmeetapparaten, die nauwkeurig nabij-infrarood (NIR) optische vermogenssignalen vastlegt voor toepassingen zoals glasvezeltesten en laboratoriumfotometrie.
  • Laserdiode Levenscyclus Testen: Bestand tegen langdurige werking en behoudt consistente responsiviteit, waardoor het geschikt is voor het evalueren van de duurzaamheid en prestatievermindering van laserдиоdes gedurende hun levensduur.
  • Nabij-infrarood (NIR) Fotometrie: Faciliteert nauwkeurige meting van NIR-lichtabsorptie, -transmissie of -reflectie op gebieden zoals biochemische analyse, materiaalkunde en milieumonitoring.
  • Optische Communicatiesystemen: Detecteert snelle NIR optische signalen (bijv. in golflengtebanden van 1,3 μm of 1,55 μm) voor gebruik in glasvezelcommunicatietransceivers, wat zorgt voor betrouwbare gegevensoverdracht in telecomnetwerken.

2. Belangrijkste Kenmerken:

  • Brede NIR Spectraalbereik: Werkt over een golflengtebereik van 0,9–1,7 μm, wat kritieke banden voor optische communicatie, laserapplicaties en NIR-fotometrie dekt.
  • Hoge Gevoeligheid: Levert een typische fotosgevoeligheid van 1,1 A/W (bij piek golflengte ~1,55 μm), waardoor nauwkeurige detectie van NIR optische signalen met lage intensiteit mogelijk is.
  • Lage Donkerstroom: Kenmerkt een maximale donkerstroom van 0,5 nA (onder omgekeerde spanning VR = 5V), minimaliseert achtergrondruis en verbetert de signaal-ruisverhouding (SNR) voor nauwkeurige metingen.
  • Hoge Snelheid Prestaties: Beschikt over een typische afsnijfrequentie van 600 MHz, ondersteunt snelle signaaldetectie voor toepassingen zoals snelle optische communicatie of laserpulsmonitoring.
  • Compact & Robuust Pakket: Gehuisvest in een TO-18 pakket (een standaard, compact metalen pakket), wat mechanische stabiliteit, eenvoudige integratie in circuitontwerpen en compatibiliteit met standaard optische montageopstellingen garandeert.
  • Breed Bedrijfstemperatuurbereik: Werkt betrouwbaar bij temperaturen van -40°C tot 100°C, waardoor het geschikt is voor zware industriële omgevingen of buitentoepassingen.
  • Lage Junction Capaciteit: Heeft een typische junction capaciteit van 5 pF (VR = 5V), vermindert signaalvervorming en verbetert de prestaties bij hoge frequenties.
Sensortype InGaAs PIN Fotodiode -
Pakkettype TO-18 -
Bedrijfsmodus Fotoconductief -
Diameter Lichtgevoelig Gebied φ0,3 mm -
Aantal Elementen 1 -
Koelmethode Niet-gekoeld -
Spectraalbereik 0,9 – 1,7 μm -
Piekgevoeligheid Golflengte ~1,55 μm -
Fotosgevoeligheid Typ. 1,1 A/W λ = 1,55 μm, Vₐ = 5V
Donkerstroom Max. 0,5 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Geen licht
Afsnijfrequentie (-3dB) Typ. 600 MHz Vᵣ = 5V, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μm
Junction Capaciteit Typ. 5 pF Vᵣ = 5V, f = 1 MHz
Gevoeligheid voor Ruis (NEP) Typ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Detectiviteit (D*) Typ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Shunt Weerstand 200 – 1000 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Geen licht
Maximale Omgekeerde Spanning (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25℃
Venstermateriaal Borosilicaatglas -
Bedrijfstemperatuurbereik -40℃ – 100℃ -
Opslagtemperatuurbereik -55℃ – 125℃ -
Temperatuurcoëfficiënt van Gevoeligheid 1,09 maal/℃  

 

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

 

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)