logo
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

Certificaat
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen
G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

Grote Afbeelding :  G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Modelnummer: G12181-003A
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stks
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Standaardverpakking
Levertijd: 5-8 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 5000 pccs

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

beschrijving
Temperatuurcoëfficiënt van gevoeligheid: 1,08 keer/℃ Opslagtemperatuurbereik: -55 ℃ -125 ℃
Bedrijfstemperatuurbereik: -40 ℃ -100 ℃ Maximale omgekeerde spanning (Vᵣₘₐₓ): 20 V
Shuntweerstand: 300 ~ 1200 MΩ Verbindingscapacitieve weerstand: Typ. 4 PF
Markeren:

Infrarood foto-elektrische sensor voor optische communicatie

,

InGaAs PIN fotodiode sensor

,

Foto-elektrische sensor met InGaAs technologie

 

G12181-003A Infraroodfoto-elektrische sensor (InGaAs PIN-fotodiode) voor optische communicatiesystemen

 

Toepassingsgebieden:

  • Optische communicatiesystemen: detecteert snelle NIR-signalen (banden van 1,3 μm tot 1,55 μm) in glasvezeltransceivers, waardoor betrouwbare gegevensoverdracht in telecomnetwerken mogelijk is.
  • Precision Optical Power Meters: dient als kernsensor voor het meten van NIR-optische vermogen bij laboratoriumtests, onderhoud van glasvezels en laserkalibratie.
  • Lasermonitoring en -test: maakt realtime monitoring van de laseruitgangsintensiteit (bijv. in industriële lasers, medische lasers) en levenscyclusonderzoek van laserdioden mogelijk.
  • Bijna-infraroodfotometrie: wordt gebruikt in biochemische analyse, materiaalwetenschappen en milieubewaking om de absorptie, transmissie of reflectie van NIR-licht te meten.
  • Luchtvaart en defensie: Geschikt voor NIR-gebaseerde doeldetectie, remote sensing en optische begeleidingssystemen (dankzij een breed temperatuurbereik en laag geluid).

Belangrijkste kenmerken:

  • Brede NIR-dekking: het spectrumbereik van 0,9 ∼1,7 μm is afgestemd op de belangrijkste golflengten voor communicatie-, laser- en fotometrietoepassingen.
  • Ultralage donkere stroom: max. 0,3 nA donkere stroom minimaliseert achtergrondgeluid, waardoor een hoge signaal-geluidsverhouding (SNR) wordt gewaarborgd voor detectie bij weinig licht.
  • High-Speed Response: 800 MHz cut-off frequentie ondersteunt snelle signaaldetectie, ideaal voor optische communicatie met een hoge bandbreedte of pulserende lasermonitoring.
  • Compact en duurzaam pakket: TO-18 metalen pakket biedt mechanische stabiliteit, eenvoudige integratie in circuits en compatibiliteit met standaard optische bevestigingen.
  • Consistente gevoeligheid: een lage temperatuurgevoeligheid coëfficiënt zorgt voor betrouwbare prestaties bij verschillende omgevingstemperaturen.

Parameter

Specificatie (type / max.)

Testomstandigheden

Lichtgevoelig gebied φ0,3 mm -
Aantal sensoren 1 (een-element) -
Koelmethode Niet-gekoeld (passieve omgevingskoeling) -
Spectrumresponsbereik 0.9 1.7 μm d. een vermogen van meer dan 50 W;
Piekgevoeligheidsgolflengte ~ 1,55 μm -
Lichtgevoeligheid Typ. 1.1 A/W Het is niet mogelijk om de verwarming van de vloeistof te beperken.
Donkere stroom Max. 0,3 nA Voor de toepassing van de voorschriften van punt 6.2.3 van bijlage I bij Verordening (EG) nr. 715/2009 moet de in punt 6.2.3 van bijlage I vermelde methode worden toegepast.
Afscheidingsfrequentie (-3 dB) Typ. 800 MHz Vr = 5V, belastingweerstand (Rl) = 50Ω, λ = 1,3 μm
Koppelingscapaciteit Typ. 4 pF Vr = 5V, Frequentie (f) = 1 MHz
Ruis-equivalent vermogen (NEP) Typ. 3,5 × 10−15 W/Hz1/2 Voor de toepassing van de in bijlage I vermelde voorschriften moet de temperatuur van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof worden bepaald.
Detectiviteit (D*) Typ. 7,2 × 1012 cm·Hz1/2/W Voor de toepassing van de in bijlage I vermelde voorschriften moet de temperatuur van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof van de vloeistof worden bepaald.
Shuntweerstand 300 ¥ 1200 MΩ Vr = 0V, Ta = 25°C, geen licht
Maximale omgekeerde spanning (Vrmax) 20 V Ta = 25°C
Werktemperatuurbereik -40 °C 100 °C Stabiele prestaties in harde industriële omgevingen
Temperatuurbereik voor opslag -55 °C 125 °C -
Temperatuurgevoeligheidsgraad 10,08 keer/°C Relatief tot 25°C, λ = 1,55 μm

 

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen 0

 

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)