Productbeschrijving:
YJJ S12023-02 Siliconfotodiode van het nabij-infraroodtype voor optische afstandsmeting
Kenmerken:
laag biasspanning, geschikt voor 800 nm-band
Dit is een 800nm nabij-infrarood silicium APD die kan werken bij een lage biasspanning van 200V of minder. Geschikt voor FSO (Free Space Optics) en optische afstandmetertoepassingen.
Productkenmerken
Stabiel werken onder lage biasspanning
Hoge snelheidsrespons
Hoge gevoeligheid en laag lawaai
Gedetailleerde parameters
Type Nabij-infrarood (Low bias operation)
Lichtgevoelig
Metalen in kapsel
Het inkapselingstype is TO-18
Piekgevoeligheidsgolflengte (typische waarde) 800 nm
Het spectraal responsbereik is 400 tot 1000 nm
Gevoeligheid (typische waarde) 0,5a /W
Donkere stroom (maximaal) 0,5 Na
Afsluitfrequentie (typische waarde) 1000 MHz
Koppelingscapaciteit (typisch) 1 pF
Stortingsspanning (typische waarde) 150 V
Temperatuurcoëfficiënt van de breukspanning (typische waarde) 0,65 V/°C
Winst (typische waarde) 100
Ta=25 °C, tenzij vermeld, Lichtgevoeligheid: λ=800 nm, M=1
Specificaties:
| Lichtgevoelig gebied |
0.2 mm |
| het type inkapseling is: |
TO-18 |
| Piekgevoeligheidsgolflengte (typische waarde) |
800 nm |
| spectraal responsbereik is |
400 tot 1000 nm |
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
Dutch
