logo
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

Certificaat
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ
UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

Grote Afbeelding :  UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Modelnummer: S1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Papieren doos
Levertijd: 3-5Work Days
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 5000 stuks

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

beschrijving
Actieve gebiedsgrootte: 1,1 * 5,9 Pakket: 2,7 * 15
Effectief actief gebied: 5.9 Omgekeerde spanning VR Max.: 5V
Werktemperatuur TOPR: -20 tot +60 Bergingstemperatuur TSTG: -20 tot +80
Markeren:

Infrarood siliciumfotodiode UV zichtbaar

,

Precision photometry sensor onderdrukt IR

,

Foto-elektrische sensor van de serie S1227

 

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

 

 

Belangrijkste kenmerken:

 
  • Hoog UV-gevoeligheid (kwartsvenstertype): Quantum Efficiency (QE) van 75% bij 200 nm.
  • Onderdrukte infraroodgevoeligheid, geschikt voor precisiefotometrie waarbij infraroodinterferentie een probleem vormt.
  • Een lage donkere stroom voor nauwkeurige metingen van het lichtniveau.

 

Toepassingen:

 
  • Analyseapparatuur
  • Optische meetapparatuur
  • Systemen voor het detecteren van laag lichtniveau

 

 

Parameter

Symbool

Rating

Eenheid

Omgekeerde spanning VR max 5 V
Werktemperatuur Topr -20 tot +60 °C
Bergingstemperatuur Tstg -20 tot +80 °C
Effectief lichtgevoelig gebied - 5.9 mm2
Venstermateriaal met een gewicht van niet meer dan 10 kg - -
Pakketgrootte 2.7 × 15 (dimensionale contour) 1.1 × 5.9 (lichtgevoelig gebied) mm

 

UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ 0

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)