logo
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

Alle producten

De Sensor van het zuurstofgas

(204)

Elektrochemische Gassensor

(15)

Gassensor

(1381)

kooldioxidesensor

(16)

Elektronische Gasanalysator

(73)

De medische Sensor van de Luchtstroom

(176)

de sensor van de vochtigheidstemperatuur

(106)

Elektronische Druksensor

(499)

Hall Effect Sensor

(58)

HUIDIGE SENSOR

(49)

Infrarode Foto-elektrische Sensor

(192)

UVfotodiodesensor

(82)

Andere Sensoren

(214)

de module van de gassensor

(7)
Certificaat
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie
G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

Grote Afbeelding :  G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

Productdetails:
Plaats van herkomst: Japan
Modelnummer: G12183-003K
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Papieren doos
Levertijd: 3-5Work Days
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 5000 stuks
Contact

G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

beschrijving
Pakkettype: Aan-18 Montagetype: Doorgaand gat (3-pins)
Aantal pinnen: 3 pinnen Afmeting raam: 3,0 ± 0,1 mm
Looddiameter: 0,45 mm Afstand: -0,2 ≤x≤+0,2 mm
Markeren:

InGaAs-PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters

,

High-performance InGaAs fotodiode laser detectie

,

Infraroodfoto-elektrische sensor met InGaAs-technologie

 

    G12183-003K Hoogwaardige Indium Gallium Arsenide (InGaAs) PIN Fotodiode voor Optische Vermogensmeters en Laser Vermogensdetectie

 

 

Kenmerken:


InGaAs PIN fotodiode voor lange nabij-infrarood detectie
Breed spectraal bereik: 0,9 µm tot 2,6 µm
Hoge gevoeligheid bij piekgolflengte van 2,3 µm
Hoge responsiviteit: 1,0 tot 1,3 A/W
Klein actief gebied: φ0,3 mm
Lage donkerstroom voor verbeterde signaal-ruisverhouding
Compacte TO-18 metalen behuizing
Goede responsiesnelheid en lage ruis
Bedrijfstemperatuur: -40°C tot +85°C
RoHS-conform
Geschikt voor niet-gekoelde werking

 

 

 

Toepassingen :


Optische vermogensmeters
Gasanalyseapparaten
Vochtmeters
NIR (nabij-infrarood) fotometrie & spectroscopie
Industriële procesbewaking
Milieu-analyse
Testen van optische communicatie

 

 

Parameter

Min

Typ

Max

Eenheid

Testconditie
Spectraal bereik 0,9 - 2,6 μm Ta=25°C
Piekgevoeligheid golflengte - 2,3 - μm Ta=25°C
Fotosensitiviteit (Responsiviteit) 1,0 1,3 - A/W Bij λ=2,3 μm, Ta=25°C
Donkerstroom - 0,4 4 μA Vr=0,5 V, Ta=25°C
Donkerstroom temperatuurcoëfficiënt - 1,035 - keer/°C Vr=0,5 V
Afsluitfrequentie - 50 - MHz Ta=25°C
Aansluitcapaciteit - 50 100 pF Vr=0 V, f=10 kHz
Omgekeerde spanning (Max.) - - 1 V Ta=25°C
Shuntweerstand 20 - 100 kΩ Ta=25°C
Bedrijfstemperatuurbereik -40 - +85 °C Volledige specificatie
Opslagtemperatuurbereik -55 - +125 °C -
Fotosensitief gebied - φ0,3 - mm -
Aantal elementen - 1 - - -
Soldeertemperatuur - - 260 °C ≤10s duur
Venstermateriaal - Boro-silicaatglas - - -

 

G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie 0

label:

R9533 Infrarode Foto-elektrische Sensor,

RGB Kleurensensor,

UVTRON-Vlamsensor

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Miss. Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

De Sensor van het zuurstofgas

Elektrochemische gassensor 5FO AAA32-400 Elektrochemische gassensor zuurstof vijf serie 2 jaar in de lucht

2FO AA625-180 Luchtzuursensor Verbrandingsdoeltreffendheid voor vaste gasdetector

O2-C2 zuurstofgassensor Elektrochemische O2 sensor voor zuurstof alarm Twee jaar levensduur

Elektrochemische Gassensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische gassensor 500 ppm

KE-25 KE-50 Elektrochemische zuurstofgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemische gassensor voor zwaveldioxide 2000ppm 5e serie

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit De Sensor van het zuurstofgas Leverancier. © 2022 - 2026 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.. All Rights Reserved.
vr