|
Productdetails:
|
| Type: | Nabij-infrarood (werking met lage bias) | Actieve gebiedsgrootte: | φ0,2 mm |
|---|---|---|---|
| Pakketmateriaal: | Metaal | Pakkettype: | Aan-18 |
| Markeren: | Silicium lawinefotodiode infraroodsensor,Infrarood fotodiode met lage bias werking,Infrarood foto-elektrische sensor met garantie |
||
S12023-02-01 Silicon Avalanche Photodiode Infrarood Low Bias Operatie
Deze siliciumlavinesfotodiode (Si APD) is ontworpen voor het nabije infrarood bereik (800 nm band) en werkt bij lage spanningen van 200 V of minder.Het is geschikt voor toepassingen zoals optische afstandmeters en optische communicatie in vrije ruimte.
Kenmerken:
・Stabiel functioneren bij lage biasspanning
・snelle reactiesnelheid
・Hoge gevoeligheid en laag geluid
Specificatie:
|
golflengte van de pieksensitiviteit (typisch)
|
800 nm |
| Waallengtebereik van de gevoeligheid | 400 ‰ 1000 nm |
| Lichtgevoeligheid (typisch) | 0.5 A/W |
| Maximale donkere stroom | 0.5 nA |
| Frequentie van het afsnijden (typisch) | 1000 MHz |
| Typische terminalcapaciteit | 1 pF |
| Stortingsspanning (typisch) | 150 V |
| Temperatuurcoëfficiënt van de breukspanning (typisch) | 0.65 V/°C |
| Vermenigvuldigingsfactor (typisch) | 100 |
![]()
Contactpersoon: Xu
Tel.: 86+13352990255