logo
Thuis ProductenInfrarode Foto-elektrische Sensor

S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

Certificaat
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking
S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

Grote Afbeelding :  S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

Productdetails:
Plaats van herkomst: JAPAN
Merknaam: Hamamatsu
Modelnummer: S12023-02-01
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Standaardpakket
Levertijd: 3-5Working Days
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T
Levering vermogen: 10000 stks/maand

S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

beschrijving
Type: Nabij-infrarood (werking met lage bias) Actieve gebiedsgrootte: φ0,2 mm
Pakketmateriaal: Metaal Pakkettype: Aan-18
Markeren:

Silicium lawinefotodiode infraroodsensor

,

Infrarood fotodiode met lage bias werking

,

Infrarood foto-elektrische sensor met garantie

S12023-02-01 Silicon Avalanche Photodiode Infrarood Low Bias Operatie

 

Deze siliciumlavinesfotodiode (Si APD) is ontworpen voor het nabije infrarood bereik (800 nm band) en werkt bij lage spanningen van 200 V of minder.Het is geschikt voor toepassingen zoals optische afstandmeters en optische communicatie in vrije ruimte.


Kenmerken:
・Stabiel functioneren bij lage biasspanning
・snelle reactiesnelheid
・Hoge gevoeligheid en laag geluid

 

Specificatie:

golflengte van de pieksensitiviteit (typisch)
800 nm
Waallengtebereik van de gevoeligheid 400 ‰ 1000 nm
Lichtgevoeligheid (typisch) 0.5 A/W
Maximale donkere stroom 0.5 nA
Frequentie van het afsnijden (typisch) 1000 MHz
Typische terminalcapaciteit 1 pF
Stortingsspanning (typisch) 150 V
Temperatuurcoëfficiënt van de breukspanning (typisch) 0.65 V/°C
Vermenigvuldigingsfactor (typisch) 100

 

S12023-02-01 Silicium Lawinefotodiode Infrarood Lage-bias Werking

Contactgegevens
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Contactpersoon: Xu

Tel.: 86+13352990255

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)