CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

• 

  UVTRON R9533 Gemakkelijke installatie in de meeste apparaten met een hoge gevoeligheid en een breed gezichtsveld met behulp van Ni-elektrode materiaal

  Elektrodemateriaal:NI

  Gewicht:2,5 g

  [Maximale beoordeling]:30 mA

  Contact nu
• 

  Siliciumfotodioden S12742-254 Siliciumfotodiode met interferentiefilter

  Lichtontvangende zijde:3.6 × 3,6 mm

  Inkapseling:Metalen

  Pakketcategorie:TO-5 met filter

  Contact nu
• 

  Silicon PIN Photodiode S3071 S3072 Voor ruimtelichttransmissie (vrije ruimte optica)

  Lichtontvangende zijde:φ5.0 mm

  Inkapseling:Metalen

  Pakketcategorie:TO-8

  Contact nu
• 

  Plastic ingekapselde kleursensor S9706 Simultane meting van RGB drie-kleurig -20 tot 85 graden Celsius

  productsoort:RGB digitale kleursensor

  Verpakkingsmateriaal:plastieken

  Pakkettype:De oppervlakte zet type op

  Contact nu
• 

  S12915-33R Silicon Photodiode Sensor voor algemene fotometer lage donkere stroom

  het ontvangen van oppervlaktegrootte is:2.4 × 2.4mm

  Efficiënt fotogevoelig gebied:5.7 mm2

  het maximum omgekeerde voltage is:30 V

  Contact nu
• 

  Onderdrukte NIR-gevoeligheid Siliciumfotodiode S1226-5BQ voor nauwkeurige UV tot zichtbare fotometrie

  Lichtontvangend oppervlak:2.4 × 2.4mm

  Donkere stroom (maximaal):pa 5

  Met:LENS

  Contact nu
• 

  YJJ S1227-66BR Silicone fotodiode hars potten model is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

  Contact nu
• 

  YJJ S1227-1010BQ Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrische onderdrukking van infraroodgevoeligheid in de ultraviolette tot zichtbare band

  Receiving surface:10 × 10 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

  Contact nu
• 

  YJJ S1337-33BR Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

  Receiving surface:2.4 × 2.4 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

  Contact nu
• 

  YJJ S1337-66BQ Siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie in ultraviolet tot infraroodbanden

  High UV sensitivity:QE 75% (λ=200 nm)

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Reverse voltage (Max.):5V

  Contact nu
• 

  YJJ S1337-1010BQ S1337-1010BR Siliciumfotodiode voor nauwkeurige fotometrie in het UV- tot IR-bereik

  Koeling:Niet gekoeld type

  Gevoeligheidsgolflengtebereik:190 tot 1100 Nm

  Aantal pixels:1

  Contact nu
• 

  Silicon Pin Photodiodes S1336-8BK S1336-8BQ Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

  Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

  Inkapseling:Metalen

  Pakketcategorie:TO-8

  Contact nu