CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S6931-01 Siliciumfotodioden gevormd in doorzichtige plastic verpakkingen

Lichtontvangende zijde:2.4 × 2,8 mm

Inkapseling:Kunststoffen

Koeling:niet-gekoeld
S6775 S6775-01 Silicium-PIN-fotodiode

Lichtontvangende zijde:5.5 × 4,8 mm

Inkapseling:Kunststoffen

Koeling:niet-gekoeld
Zeer gevoelige S7686 Si-fotodiode met een golflengte van maximale gevoeligheid van 550 nm en een spectraal responsbereik van 480-660 nm

Omgekeerde spanning:10 V

Bedrijfstemperatuur:-10 tot +60 °C

Opslagtemperatuur:-20 tot +70 °C
Silicon Pin fotodiodes S1226-8BK S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid

Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

Inkapseling:metaal

Pakketcategorie:TO-8
S8745-01 Infrarood Foto-elektrische Sensor Voor Precisie Analytische Instrumenten Industriële Meetapparatuur

Pakkettype:TO-5 metaalpakket

Raammateriaal:Kwarts

Spectrale responsbereik:190 ~ 1100 nm
G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

Temperatuurcoëfficiënt van gevoeligheid:1,08 keer/℃

Opslagtemperatuurbereik:-55 ℃ -125 ℃

Bedrijfstemperatuurbereik:-40 ℃ -100 ℃
G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

Pakkettype:Tot - 18

Fotogevoelig gebied:φ0,3 mm

Spectrale responsbereik:00,9 tot 1,7 μm
YJJ S8745-01 S8746-01 Siliciumfotodioden met voorversterker worden gebruikt voor metingen bij weinig licht

Ingebouwde RF:1 GΩ en CF = 5 PF

Licht-emitterend oppervlak:2.4 × 2,4 mm

Pakket:Metaal
YJJ G12181-003A Niet-gekoelde InGaAs PIN-fotodiode kan worden gebruikt om de grootte van verschillende lichtgevoelige gebieden te detecteren

Pixeltelling:1

Pakket:Metaal

Pakketcategorie:TO18
YJJ S2386-5K Analyseapparatuur Optische meetapparatuur Japanse fotodioden

Licht-emitterend oppervlak:2.4 × 2,4 mm

Pakket:Metaal

Pakkettype:TO-5
YJJ S6967 S6967-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Package voor detectie in zichtbaar licht tot in het nabij-infrarood bereik

Spectrale responsbereik:320 tot 1060 nm

Maximale gevoeligheidsgolflengte:900 nm

Fotogevoeligheid:0,65 a/w
EMIRS200_AT01T_BR090 thermische MEMS-gebaseerde infraroodbron TO39 pakket

Type:Infrarood

Bedrijfstemperatuur:-40 ° C ~ 125 ° C

Montagetype:Door gat

Page 6 of 17|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Infrarode Foto-elektrische Sensor

CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S6931-01 Siliciumfotodioden gevormd in doorzichtige plastic verpakkingen

S6775 S6775-01 Silicium-PIN-fotodiode

Zeer gevoelige S7686 Si-fotodiode met een golflengte van maximale gevoeligheid van 550 nm en een spectraal responsbereik van 480-660 nm

Silicon Pin fotodiodes S1226-8BK S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid

S8745-01 Infrarood Foto-elektrische Sensor Voor Precisie Analytische Instrumenten Industriële Meetapparatuur

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

G12180-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Lasermonitoringsystemen

YJJ S8745-01 S8746-01 Siliciumfotodioden met voorversterker worden gebruikt voor metingen bij weinig licht

YJJ G12181-003A Niet-gekoelde InGaAs PIN-fotodiode kan worden gebruikt om de grootte van verschillende lichtgevoelige gebieden te detecteren

YJJ S2386-5K Analyseapparatuur Optische meetapparatuur Japanse fotodioden

YJJ S6967 S6967-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Package voor detectie in zichtbaar licht tot in het nabij-infrarood bereik

EMIRS200_AT01T_BR090 thermische MEMS-gebaseerde infraroodbron TO39 pakket

De Sensor van het zuurstofgas

Elektrochemische gassensor 5FO AAA32-400 Elektrochemische gassensor zuurstof vijf serie 2 jaar in de lucht

2FO AA625-180 Luchtzuursensor Verbrandingsdoeltreffendheid voor vaste gasdetector

O2-C2 zuurstofgassensor Elektrochemische O2 sensor voor zuurstof alarm Twee jaar levensduur

Elektrochemische Gassensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische gassensor 500 ppm

KE-25 KE-50 Elektrochemische zuurstofgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemische gassensor voor zwaveldioxide 2000ppm 5e serie