CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

• 

  YJJ S1223 S1223-01 Silicium PIN fotodiode wordt gebruikt voor nauwkeurige fotometrische bepaling in het zichtbare licht tot de nabije infraroodband

  Verlicht oppervlak:3.6 × 3.6 mm

  Verpakking:Metalen

  Verpakkingscategorie:Aan-5

  Contact nu
• 

  YJJ G6854-01 InGaAs PIN Photodiode Sferische Lens Venster Verpakt

  Warmteafvoer:niet-koelt type

  Gevoeligheidsgolflengtebereik:00,9 tot 1,7 μm

  Maximale gevoeligheidsgolflengte (typische waarde):10,55 μm

  Contact nu
• 

  S16767-01MS Siliciumfotodiode met lage donkere stroom voor zichtbaar bereik

  Fotogevoelig gebied:2.8 × 2,4 mm

  Verpakking:Plastic

  Koeling:Ongekoeld

  Contact nu
• 

  Zichtbare siliciumfotodioden S16840-02MS met een lichtgevoelige gevoeligheid van 0,3 A/W en een stijgingstijd van 2,5 μs

  Donkere Stroom:pa 10

  Stijgingstijd:2.5 μs

  Lichtgevoeligheid:0.3 A/W

  Contact nu
• 

  YJJ S16838-01MS Siliciumfotodiode wordt gebruikt in het zichtbare licht tot de nabije infraroodband

  Verbindingscapacitieve weerstand:700 pF

  Stijgingstijd:2.5 μs

  Donkere Stroom:pa 10

  Contact nu
• 

  YJJ S16765-01MS Siliciumfotodiode wordt gebruikt in het zichtbare licht tot de nabije infraroodband

  Lichtgevoeligheid:0.3 A/W

  Donkere Stroom:pa 10

  Stijgingstijd:2.5 μs

  Contact nu
• 

  YJJ S16767-01MS Siliciumfotodiode wordt gebruikt in het zichtbare licht tot de nabije infraroodband

  Lichtgevoeligheid:0.3 A/W

  Donkere Stroom:pa 10

  Stijgingstijd:2.5 μs

  Contact nu
• 

  YJJ S4111-35Q Silicon Photodiode Array wordt gebruikt in de ultraviolette tot nabij-infraroodband

  Pixelgrootte:0.9 × 4,4 mm

  Pixeltelling:35

  Verpakking:van keramiek

  Contact nu
• 

  S1133 S1133-14 S1133-01 Si-fotodiode Keramische verpakking Fotodiode met lage donkere stroom

  Grootte van het actieve gebied:2.4x2.8

  Effectief actief gebied:6.6

  Omgekeerde spanning VR Max.:10

  Contact nu
• 

  G12180-005A InGaAs PIN-fotodioden met laag geluid in TO-18-verpakking

  Lichtontvangende zijde:φ0,5 mm

  Aantal pixels:1

  Inkapseling:Metalen

  Contact nu
• 

  G12180-010A Low Junction Capacitance InGaAs PIN Photodiodes met een gevoeligheidsgolflengte van 0,9 tot 1,7 μm en metalen inkapseling

  Lichtontvangende zijde:φ1,0 mm

  Aantal pixels:1

  Inkapseling:Metaal

  Contact nu
• 

  UVTRON R9533 Gemakkelijke installatie in de meeste apparaten met een hoge gevoeligheid en een breed gezichtsveld met behulp van Ni-elektrode materiaal

  Elektrodemateriaal:NI

  Gewicht:2,5 g

  [Maximale beoordeling]:30 mA

  Contact nu