CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S16786-0515WM MPPC-methylmethacrylaat met hoge gevoeligheid in het nabij-infrarood

Pixel Pitch:15um

Efficiënt fotogevoelig gebied:0.5x0.5 mm

Pakket:De oppervlakte zet type op
Siliciumfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Lichtontvangende zijde:1.1 × 1,1 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-18
Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Lichtontvangende zijde:2.4 × 2,4 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-5
Silicon Pin Photodiodes S1226-44BK S1226-44BQ Lage donkere stroom

Lichtontvangende zijde:3.6 × 3,6 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-5
Siliciumfotodioden S1337-33BR S1337-66BR Lage capaciteit

Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

Inkapseling:Keramiek

Koeling:niet-gekoeld
Siliciumfotodioden S1337-66BQ S1337-33BQ Lage capaciteit

Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

Inkapseling:Keramiek

Koeling:niet-gekoeld
Silicon PIN Photodiode S5821-01 Hoge snelheidsrespons Lage donkere stroom

Lichtontvangende zijde:φ1,2 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:TO-18 met lens
Siliciumfotodioden S2387-66R geschikt voor zichtbare tot infrarood universele fotometer

Venstermateriaal:Harspotten

Pakket:8.9 x 10.1

Grootte van het lichtgevoelige gebied:5.8 x 5.8
Silicon PIN Photodiode S5971 lage prijs hoge betrouwbaarheid met omgekeerde spanning max 20 V

Lichtontvangende zijde:φ1,2 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-18
Siliciumfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Onderdrukte IR-gevoeligheid

Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

Inkapseling:Keramiek

Koeling:niet-gekoeld
Niet-gekoelde siliciumfotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm en onderdrukte IR-gevoeligheid

Lichtontvangende zijde:2.4 × 2,4 mm

Inkapseling:Keramiek

Koeling:niet-gekoeld
Siliciumfotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Lage capaciteit

Lichtontvangende zijde:10 × 10 mm

Inkapseling:Keramiek

Koeling:niet-gekoeld

Page 7 of 15|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

Infrarode Foto-elektrische Sensor

CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S16786-0515WM MPPC-methylmethacrylaat met hoge gevoeligheid in het nabij-infrarood

Siliciumfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Silicon Pin Photodiodes S1226-5BK S1226-5BQ Onderdrukking van NIR-gevoeligheid

Silicon Pin Photodiodes S1226-44BK S1226-44BQ Lage donkere stroom

Siliciumfotodioden S1337-33BR S1337-66BR Lage capaciteit

Siliciumfotodioden S1337-66BQ S1337-33BQ Lage capaciteit

Silicon PIN Photodiode S5821-01 Hoge snelheidsrespons Lage donkere stroom

Siliciumfotodioden S2387-66R geschikt voor zichtbare tot infrarood universele fotometer

Silicon PIN Photodiode S5971 lage prijs hoge betrouwbaarheid met omgekeerde spanning max 20 V

Siliciumfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Onderdrukte IR-gevoeligheid

Niet-gekoelde siliciumfotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spectrumresponsbereik 190 tot 1000 nm en onderdrukte IR-gevoeligheid

Siliciumfotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Lage capaciteit

De Sensor van het zuurstofgas

Elektrochemische gassensor 5FO AAA32-400 Elektrochemische gassensor zuurstof vijf serie 2 jaar in de lucht

2FO AA625-180 Luchtzuursensor Verbrandingsdoeltreffendheid voor vaste gasdetector

O2-C2 zuurstofgassensor Elektrochemische O2 sensor voor zuurstof alarm Twee jaar levensduur

Elektrochemische Gassensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische gassensor 500 ppm

KE-25 KE-50 Elektrochemische zuurstofgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemische gassensor voor zwaveldioxide 2000ppm 5e serie