CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S12915-33R Silicon Photodiode Sensor voor algemene fotometer lage donkere stroom

het ontvangen van oppervlaktegrootte is:2.4 × 2.4mm

Efficiënt fotogevoelig gebied:5.7 mm2

het maximum omgekeerde voltage is:30 V
Silicon Pin Photodiodes S1336-8BK S1336-8BQ Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:TO-8
YJJ G12180-005A InGaAs PIN Photodiode Ontvangend Oppervlak: φ0,5 mm

Het ontvangen van oppervlakte:φ0,5 mm

Aantal pixels:1

Pakket:Metalen
Silicon Pin Photodiodes S1336-18BK S1336-18BQ Lage capaciteit

Lichtontvangende zijde:1.1 × 1,1 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-18
Silicon Pin Photodiodes S1336-5BK S1336-5BQ Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

Lichtontvangende zijde:2.4 × 2,4 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-5
Silicon Pin Photodiode S1336-44BQ S1336-44BK Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

Lichtontvangende zijde:3.6 × 3,6 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:Aan-5
YJJ S4349 Vier-pixel Silicon PIN Photodiode Array wordt gebruikt voor laserstraal uitlijning

Laag overspel: maximaal:2%

Breed spectrumresponsbereik:190 tot 1000 Nm

Hoog snelheidsrespons:fc = 20 MHz -TO-5 metalen pakket
YJJ S6775-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Single-in-line pakket 5.5 × 4.8mm Ontvangend oppervlak

Plastic package:7 × 7.8mm

Receiving surface size:5.5 × 4.8mm

Refrigeration:Uncooled type
YJJ S12053-02 Silicon APD Avalanche Photodiode Korte golflengte Type APD

Gevoeligheidsgolflengtebereik:200 tot 1000 nm

Lichtgevoeligheid (typische waarde):0.42 A/W

Donkere stroom (maximaal):Na 5
YJJ S12060-02 Silicon APD lage temperatuurcoëfficiënt voor 800 nm band in metalen inkapseling en TO18-pakket

Het ontvangen van oppervlakte:φ0,2 mm

Inkapseling:Metalen

Pakketcategorie:TO18
YJJ S1337-21 Siliciumfotodiode De ideale oplossing voor nauwkeurige fotometrie in UV tot IR banden

Receiving surface:18 × 18 mm

Reverse voltage (Max.):5 V

Sensitivity (typical value):0.52 A/W
Precise fotometrische bepaling van een siliciumfotodiode met een lage capaciteit in de banden UV tot NIR YJJ S1336-8BQ TO-5 Package

Package category:TO-5

Refrigeration:Uncooled type

Reverse voltage (Max.):5V

Page 7 of 13|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

Infrarode Foto-elektrische Sensor

CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

S12915-33R Silicon Photodiode Sensor voor algemene fotometer lage donkere stroom

Silicon Pin Photodiodes S1336-8BK S1336-8BQ Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

YJJ G12180-005A InGaAs PIN Photodiode Ontvangend Oppervlak: φ0,5 mm

Silicon Pin Photodiodes S1336-18BK S1336-18BQ Lage capaciteit

Silicon Pin Photodiodes S1336-5BK S1336-5BQ Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

Silicon Pin Photodiode S1336-44BQ S1336-44BK Hoge gevoeligheid in de ultraviolette band

YJJ S4349 Vier-pixel Silicon PIN Photodiode Array wordt gebruikt voor laserstraal uitlijning

YJJ S6775-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Single-in-line pakket 5.5 × 4.8mm Ontvangend oppervlak

YJJ S12053-02 Silicon APD Avalanche Photodiode Korte golflengte Type APD

YJJ S12060-02 Silicon APD lage temperatuurcoëfficiënt voor 800 nm band in metalen inkapseling en TO18-pakket

YJJ S1337-21 Siliciumfotodiode De ideale oplossing voor nauwkeurige fotometrie in UV tot IR banden

Precise fotometrische bepaling van een siliciumfotodiode met een lage capaciteit in de banden UV tot NIR YJJ S1336-8BQ TO-5 Package

De Sensor van het zuurstofgas

Elektrochemische gassensor 5FO AAA32-400 Elektrochemische gassensor zuurstof vijf serie 2 jaar in de lucht

2FO AA625-180 Luchtzuursensor Verbrandingsdoeltreffendheid voor vaste gasdetector

O2-C2 zuurstofgassensor Elektrochemische O2 sensor voor zuurstof alarm Twee jaar levensduur

Elektrochemische Gassensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische gassensor 500 ppm

KE-25 KE-50 Elektrochemische zuurstofgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemische gassensor voor zwaveldioxide 2000ppm 5e serie