CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

Temperatuurcoëfficiënt van gevoeligheid:1,08 keer/℃

Opslagtemperatuurbereik:-55 ℃ -125 ℃

Bedrijfstemperatuurbereik:-40 ℃ -100 ℃
YJJ S8745-01 S8746-01 Siliciumfotodioden met voorversterker worden gebruikt voor metingen bij weinig licht

Ingebouwde RF:1 GΩ en CF = 5 PF

Licht-emitterend oppervlak:2.4 × 2,4 mm

Pakket:Metaal
YJJ G12181-003A Niet-gekoelde InGaAs PIN-fotodiode kan worden gebruikt om de grootte van verschillende lichtgevoelige gebieden te detecteren

Pixeltelling:1

Pakket:Metaal

Pakketcategorie:TO18
YJJ S2386-5K Analyseapparatuur Optische meetapparatuur Japanse fotodioden

Licht-emitterend oppervlak:2.4 × 2,4 mm

Pakket:Metaal

Pakkettype:TO-5
YJJ S6967 S6967-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Package voor detectie in zichtbaar licht tot in het nabij-infrarood bereik

Spectrale responsbereik:320 tot 1060 nm

Maximale gevoeligheidsgolflengte:900 nm

Fotogevoeligheid:0,65 a/w
EMIRS200_AT01T_BR090 thermische MEMS-gebaseerde infraroodbron TO39 pakket

Type:Infrarood

Bedrijfstemperatuur:-40 ° C ~ 125 ° C

Montagetype:Door gat
YJJ S10227-10 Kleine met hars afgedichte CMOS lineaire array beeldsensor voor industriële toepassingen

Pixelveld:12,5 μm

Pixelhoogte:250 μm

Signaalgegevenssnelheid:Maximaal 5 MHz
YJJ S3072 Silicon PIN fotodiode wordt gebruikt voor snelle pulslichtdetectie in optische ruimtevaarttransmissie

Light-emitting surface:3.0 mm

Package:Metal

Package category:TO-5
S6428-01 Si-fotodioden RGB-kleursensor Kunststof

Fotogevoelig gebied:2.8 × 2,4 mm

Spectrumresponsbereik:400 tot 540 Nm

Donkere stroom (maximaal):0.02 NA
S2386-18K Si Fotodiodes voor Zichtbaar tot Nabij IR Algemeen Gebruik Fotometrie Hoge Gevoeligheid

Pakket:Aan-18

Omgekeerde spanning:30 V

Bedrijfstemperatuur:-40 tot +100°C
S1337-1010BR Si-fotodiode voor UV-IR-fotometrie met lage capaciteit

Raammateriaal:Harspotten

Pakket:15*16,5 mm

Lichtgevoelig zijn maat:10*10mm
BPW21R Planar Silicon PN Photodiode Low Dark Current TO-5 Pakket

Omgekeerde spanning:10V

Power Dissipation:300 mW

VERBINDINGStemperatuur:125°C

Page 7 of 17|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

Infrarode Foto-elektrische Sensor

CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

G12181-003A Infrarood Foto-elektrische Sensor (InGaAs PIN fotodiode) Voor Optische Communicatiesystemen

YJJ S8745-01 S8746-01 Siliciumfotodioden met voorversterker worden gebruikt voor metingen bij weinig licht

YJJ G12181-003A Niet-gekoelde InGaAs PIN-fotodiode kan worden gebruikt om de grootte van verschillende lichtgevoelige gebieden te detecteren

YJJ S2386-5K Analyseapparatuur Optische meetapparatuur Japanse fotodioden

YJJ S6967 S6967-01 Silicon PIN Photodiode Plastic SIP Package voor detectie in zichtbaar licht tot in het nabij-infrarood bereik

EMIRS200_AT01T_BR090 thermische MEMS-gebaseerde infraroodbron TO39 pakket

YJJ S10227-10 Kleine met hars afgedichte CMOS lineaire array beeldsensor voor industriële toepassingen

YJJ S3072 Silicon PIN fotodiode wordt gebruikt voor snelle pulslichtdetectie in optische ruimtevaarttransmissie

S6428-01 Si-fotodioden RGB-kleursensor Kunststof

S2386-18K Si Fotodiodes voor Zichtbaar tot Nabij IR Algemeen Gebruik Fotometrie Hoge Gevoeligheid

S1337-1010BR Si-fotodiode voor UV-IR-fotometrie met lage capaciteit

BPW21R Planar Silicon PN Photodiode Low Dark Current TO-5 Pakket

De Sensor van het zuurstofgas

5FO AAA32-400 Zuurstofgassensor Elektrochemische 0-25% vol. O2 Vijfde serie

2FO AA625-180 Luchtzuursensor Verbrandingsdoeltreffendheid voor vaste gasdetector

O2-C2 zuurstofgassensor Elektrochemische O2 sensor voor zuurstof alarm Twee jaar levensduur

Elektrochemische Gassensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische gassensor 500 ppm

KE-25 KE-50 Elektrochemische zuurstofgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemische gassensor voor zwaveldioxide 2000ppm 5e serie