CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

• 

  G12183-003K Hoogwaardige indium-gallium-arsenide (InGaAs) PIN-fotodiode voor optische vermogenmeters en laservermogendetectie

  Pakkettype:Aan-18

  Montagetype:Doorgaand gat (3-pins)

  Aantal pinnen:3 pinnen

  Contact nu
• 

  S5981 4 Segmentenoppervlakmontage Silicium-PIN-fotodiode voor industriële verwerking en precisie-machines

  Detectortype:4-segment Si PIN-fotodiode-array

  Spectraal bereik:320~1100 nm

  Piekgolflengte:960 nm (typ.)

  Contact nu
• 

  UV tot zichtbare nauwkeurige fotometrie Onderdrukte IR-gevoeligheid Infrarood silicium PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  Actieve gebiedsgrootte:1,1 * 5,9

  Pakket:2,7 * 15

  Effectief actief gebied:5.9

  Contact nu
• 

  S2386-18L Si-fotodiode voor zichtbare tot nabij-IR-fotometrie voor algemeen gebruik

  Pakcage:Aan-18

  Omgekeerde spanning VR Max.:30V

  Bedrijfstemperatuur:-40 tot +100 ℃

  Contact nu
• 

  JSIR350-4-AL-R-D6 NDIR Gasanalyse Infraroodstralingsbronnen Op T039

  Operatie stroom 2:Typ. 141mA

  Massa:~ 1 g

  Warmtebestendige:40±20Ω

  Contact nu
• 

  G12183-010K In GaAs PIN Fotodiode Sensoren Lange Golflengte Type Lage Ruis

  Colling:niet-gekoeld

  Afscheidingsgolflengte:2.55 tot 2.6 Um

  Bedrijfstemperatuur:-40 tot +85°C

  Contact nu
• 

  L4643 10 W Xenon Flitslampen Goedkope Elektroden Lange Levensduur Borosilicaatglas

  Garantie levensduur *4:1 x 10°

  Maximaal herhalingspercentage *1:100 Hz

  Materialen voor zijbuizen:Borosilicaatglas

  Contact nu
• 

  RPFA913CC Pyro-elektrische vlamsensor Pyro-elektrisch effect enkelkanaal

  Raamgrootte:5.0*5,0 mm

  Gevoelige elementgrootte:3*3 mm

  Filter middengolflengte:3,8um

  Contact nu
• 

  RDA226S-F Digitale pyro-elektrische infrarood sensor

  Spanning:2,7-3V

  Pinlimiet:-100 tot 100 mA

  Opslagtemperatuur:-40 tot 125 °C

  Contact nu
• 

  S14137-01CR Photosensor met front-end IC Compact 16 element APD-array

  Aantal Output:16

  Elementenpijl:0,5 MM

  Lichtgevoelige oppervlakte (per element):0.15 x 0,43 mm

  Contact nu
• 

  S16429-01CT Photosensor met ingebouwde front-end-IC met een gestabiliseerde APD

  Fotogevoelig gebied:Diameter 0,2 mm

  Omgekeerde spanning:0 naar VBR

  Afdichtingsmateriaal:Siliconehars

  Contact nu
• 

  S14645 Si APD High Speed Compact Surface Mount High Sensitivity Featuring Low Bias Operation (S14645 Si APD High Speed Compact Surface Mount High Sensitivity Featuring Low Bias Operation) (High-speed compacte oppervlakte bevestiging met een hoge gevoeligheid met een lage biasfunctie)

  Opslagtemperatuur:-40 tot +100°C

  Fotogevoelige Grootte:0,2 mm

  Voorwaartse stroom:10 mA

  Contact nu