CHINA Infrarode Foto-elektrische Sensor

• 

  S1336-44BQ Silicon Photodiode Pin Lage capaciteit UV tot NIR Voor precisiefotometrie

  Gevoelig gebied:3.6 × 3.6 mm

  Aantal pixels:1

  Koeling en:niet-gekoeld

  Contact nu
• 

  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  Fotogevoelig gebied:2,8 × 2,4 mm.

  Spectrale responsbereik:320 nm tot 730 nm

  Lichtgevoeligheid:0.3a/w

  Contact nu
• 

  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  Fotogevoelig gebied:2,8 × 2,4 mm

  Spectrale responsbereik:320 tot 1100 nm

  Piekgevoeligheid typ.:0,58a/w

  Contact nu
• 

  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  Pixelafmetingen:12,5 × 250μm.

  Spectrale responsbereik:400 - 1000 nm.

  Videogegevenssnelheid:Tot 5 MHz

  Contact nu
• 

  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  Spectrale uitgangsbereik:Typ. 1 - 20 μm

  Warmtebestendige:40 ± 20 Ω

  Tijd constante:Mej. 15

  Contact nu
• 

  YJJ S1226-8BK Hoog betrouwbare siliciumfotodiode is geschikt voor nauwkeurige fotometrie van ultraviolet tot zichtbaar licht

  Het ontvangen van oppervlakte:5.8 × 5,8 mm

  Pakketcategorie:TO-8

  Omgekeerde spanning (max.):5V

  Contact nu
• 

  Omgekeerde spanning VR Max. V 10 UV-fotodiodesensor S1133-01 voor belichtingsmeter en illuminometer

  Grootte van het actieve gebied:2.4 x 2.8

  Effectief actief gebied:6.6

  Omgekeerde spanning VR Max. (V):10

  Contact nu
• 

  S6931-01 Siliciumfotodioden gevormd in doorzichtige plastic verpakkingen

  Lichtontvangende zijde:2.4 × 2,8 mm

  Inkapseling:Kunststoffen

  Koeling:niet-gekoeld

  Contact nu
• 

  S6775 S6775-01 Silicium-PIN-fotodiode

  Lichtontvangende zijde:5.5 × 4,8 mm

  Inkapseling:Kunststoffen

  Koeling:niet-gekoeld

  Contact nu
• 

  Zeer gevoelige S7686 Si-fotodiode met een golflengte van maximale gevoeligheid van 550 nm en een spectraal responsbereik van 480-660 nm

  Omgekeerde spanning:10 V

  Bedrijfstemperatuur:-10 tot +60 °C

  Opslagtemperatuur:-20 tot +70 °C

  Contact nu
• 

  Silicon Pin fotodiodes S1226-8BK S1226-8BQ Hoge betrouwbaarheid

  Lichtontvangende zijde:5.8 × 5,8 mm

  Inkapseling:metaal

  Pakketcategorie:TO-8

  Contact nu
• 

  EMIRS200-AT01T-BR090 Draagbare Infrarood Lichtbron met Laag Vermogen voor Draagbare Gasanalyseapparaten

  Spectraal bereik:2 ~ 14 μm

  Piekemissiegolflengte:9,6 μm (CO₂ -absorptie)

  Stralende macht:33 MW (bij 500 ° C)

  Contact nu